内存tmrs_内存，我们如何优化和管理计算机的内存资源？

【内存tmrs_内存】

概念解析

内存TMRS是关于内存性能的四个重要参数，包括tCL、tRCD、tRP和tRAS，这些参数通常存储在内存条的SPD（Serial Presence Detect）中，用于描述内存条的性能，它们分别代表CAS延迟时间、RAS到CAS延迟、RAS预充电时间和Active到precharge延迟。

内存寻址与时序

1、内存寻址：内存是根据行和列进行寻址的，当请求触发后，最初是tRAS，即Active to precharge Delay，预充电后，内存才真正开始初始化RAS（Row Address Strobe），一旦tRAS激活后，RAS开始进行需要数据的寻址。

2、内存时序：内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中，一般数字“ABCD”分别对应的参数是“CLtRCDtRPtRAS”，它们的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一。

内存读写过程

1、读写操作：在完成tRCD后，内存才会接着发送列地址以及读写指令，进行读写操作，我们刚刚说了R（Row）AS代表了行地址信息，行地址代表了字线，字线连接着栅极，是内存Cell的大门或者开关，tRCD这个操作就可以理解为找门和开门的环节，然后才能对内存Cell进行读写操作。

2、预充电：在同一个Bank中，前一个行地址读写操作已经完成，准备对下一个行地址操作时，对下一个行地址进行的预充电。

相关区别

1、功能上的区别：我们可以把内存条看成一个连接CPU与硬盘的“中介”，比如我们打开Photoshop这款软件，首先是内存从硬盘中读取Photoshop这款软件的文件，写入到硬盘当中，因为内存的读写速度要比硬盘快的多，所以CPU会跟内存进行数据的交换，而不是跟硬盘进行数据交换。

2、速度上的区别：在同一台电脑硬盘跟内存的读写速度跑分图，图上可以看到内存的读写性能是硬盘的二三十倍。

相关问题与解答

1、什么是内存？

答：内存是计算机系统中硬盘数据和 CPU 数据交换的中转站，属于临时存储器，内存上的电容是会缓慢放电的，放电到一定程度就会导致数据发生变化，这也是关机断电后会导致内存中数据丢失的原因。

2、内存频率和内存时序有什么区别？

答：内存频率是一个数字，而内存时序则是一大串数字，最常用的就有4个，表述的时候中间用破折号隔开，例如16181838，这些数字都表示延迟，也就是内存的反应时间。