CPU 如何通过控制电压实现 0 和 1 的存储呢？

CPU 控制电压以实现 0 和 1 的存储主要通过以下方式：

利用电容的电荷状态

存储单元结构：在 DRAM（动态随机存取存储器）中，存储单元的核心是一个电容，这个电容可以储存电荷，有电荷代表 “1”，无电荷代表 “0”。

写入操作：当要向某个存储单元写入 “1” 时，控制电路会将该存储单元对应的字线（Word Line）置为高电平，同时位线（Bit Line）也置为高电平，这样电容就会充电，从而存储了 “1”，如果要写入 “0”，则只需将字线置为高电平，位线保持低电平，电容就会通过位线放电，实现 “0” 的存储。

读取操作：在读取数据时，先将字线置为高电平，激活对应的存储单元，如果存储单元中存储的是 “1”，电容会向位线充电，导致位线上的电压升高；如果存储的是 “0”，位线上的电压则保持低电平，然后通过灵敏放大器等电路来检测位线上的电压变化，并将其转换为相应的数字信号 “1” 或 “0”。

基于晶体管的开关状态

存储单元结构：在 SRAM（静态随机存取存储器）中，存储单元通常由多个晶体管组成，如常见的六管 SRAM 单元，利用晶体管的导通和截止状态来表示 “0” 和 “1”。

写入操作：通过控制晶体管的栅极电压，使相应的晶体管导通或截止，从而实现对存储单元中 “0” 和 “1” 的写入，要将 “1” 写入某个存储单元，可以通过控制字线和位线相关的晶体管，使得代表 “1” 的晶体管导通，而代表 “0” 的晶体管截止。

读取操作：在读取数据时，根据字线选中相应的存储单元后，通过检测与存储单元相连的位线上的电压变化来确定存储的数据是 “0” 还是 “1”，如果位线上的电压发生了预期的变化，则表示存储的是 “1”，否则为 “0”。

借助触发器的特性

D 触发器原理：寄存器中的基本组成单元是 D 触发器，它可以在时钟信号的控制下存储一个比特（0 或 1），当时钟信号的边缘到来时，D 触发器会将输入的数据（D）存储到输出（Q）中。

数据存储与读取：在 CPU 中，当需要将数据存储到寄存器时，会在时钟信号的上升沿或下降沿，将数据总线上的电压状态所代表的 “0” 或 “1” 通过 D 触发器存储到寄存器的相应位置，当需要读取寄存器中的数据时，可以直接从寄存器的输出端口获取对应的 “0” 或 “1” 值。